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アイテム
MOSFETドレイン電流ばらつきに対する寄生抵抗の影響
https://hiroshima-cu.repo.nii.ac.jp/records/1493
https://hiroshima-cu.repo.nii.ac.jp/records/149346f21b63-4a80-48d6-884d-79b50a9e3e3a
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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p103_0402-7.pdf (184.5 kB)
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| Item type | 会議発表論文 / Conference Paper(1) | |||||||||||||||||
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| 公開日 | 2023-03-02 | |||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||
| タイトル | MOSFETドレイン電流ばらつきに対する寄生抵抗の影響 | |||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||
| 主題 | MOSFET | |||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||
| 主題 | 寄生抵抗 | |||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||
| 主題 | 特性ばらつき | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | conference paper | |||||||||||||||||
| 著者 |
上田, 浩一郎
× 上田, 浩一郎
× 寺田, 和夫
× UEDA, Koichiro
× TERADA, Kazuo
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| 抄録 | ||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||||||
| 内容記述 | MOSFETの製造プロセスは微細化が進み、MOSFETの特性ばらつきが回路動作に与える影響が大きくなっている。そのため、個々のMOSFETの特性を測定し、そのばらつきを求めるDMA(device Matrix Array)と呼ばれる試験回路が考案されている。本論文では、これらの試験回路が寄生抵抗によって受ける影響をシミュレーションによって調べた。 | |||||||||||||||||
| 書誌情報 |
電気・情報関連学会中国支部連合大会講演論文集 巻 58, p. 103, 発行日 2007-10 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||
| 出版者 | 電気・情報関連学会中国支部 | |||||||||||||||||
| フォーマット | ||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||
