2026-03-07T18:03:10Z https://hiroshima-cu.repo.nii.ac.jp/oai

oai:hiroshima-cu.repo.nii.ac.jp:00001493 2023-07-25T10:35:19Z 52:303:304

MOSFETドレイン電流ばらつきに対する寄生抵抗の影響 上田, 浩一郎 ウエダ, コウイチロウ 寺田, 和夫 テラダ, カズオ UEDA, Koichiro TERADA, Kazuo MOSFET 寄生抵抗 特性ばらつき application/pdf MOSFETの製造プロセスは微細化が進み、MOSFETの特性ばらつきが回路動作に与える影響が大きくなっている。そのため、個々のMOSFETの特性を測定し、そのばらつきを求めるDMA(device Matrix Array)と呼ばれる試験回路が考案されている。本論文では、これらの試験回路が寄生抵抗によって受ける影響をシミュレーションによって調べた。 conference paper 電気・情報関連学会中国支部 2007-10 VoR application/pdf 電気・情報関連学会中国支部連合大会講演論文集 58 103 https://hiroshima-cu.repo.nii.ac.jp/record/1493/files/p103_0402-7.pdf https://hiroshima-cu.repo.nii.ac.jp/records/1493 jpn