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oai:hiroshima-cu.repo.nii.ac.jp:00001524 2023-07-25T10:32:18Z 52:315:317

しきい値電圧ばらつきに対するハロー構造の影響 Effect of the Halo-Structure on MOSFET Threshold-Voltage Variation 寺田, 和夫 テラダ, カズオ 高橋, 和也 タカハシ, カズヤ 辻, 勝弘 ツジ, カツヒロ 角村, 貴昭 ツノムラ, タカアキ 西田, 彰男 ニシダ, アキオ TERADA, Kazuo TAKAHASHI, Kazuya TSUJI, Katsuhiro TSUNOMURA, Takaaki NISHIDA, Akio copyright©2009 IEICE 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである。 application/pdf 電子情報通信学会 2009-03-04 jpn conference paper VoR https://hiroshima-cu.repo.nii.ac.jp/records/1524 110007090330 http://ci.nii.ac.jp/naid/110007090330 CiNii Research AN10471452 電子情報通信学会総合大会講演論文集 2009年_エレクトロニクス 2 86 https://hiroshima-cu.repo.nii.ac.jp/record/1524/files/110007090330.pdf application/pdf 97.4 kB 2023-03-02