2026-03-15T16:54:34Z https://hiroshima-cu.repo.nii.ac.jp/oai

oai:hiroshima-cu.repo.nii.ac.jp:00001194 2023-07-25T10:35:59Z 1:196

並列接続MOSFETを用いたしきい値電圧標準偏差の測定評価 Measurement of Standard Deviation for Threshold Voltage Using Parallel-Connected MOSFETs 寺田, 和夫 テラダ, カズオ 最上, 徹 モガミ, トオル TERADA, Kazuo MOGAMI, Toru copyright©1996 IEICE 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである。 application/pdf MOSLSIの高集積化が進むに従い、MOSFET特性の標準偏差を簡単に評価する方法が重要になっている。本研究では、同一構造MOSFETを並列接続したものを1つのMOSFETのように取り扱うことによって、簡単にしきい値電圧の標準偏差を測定する方法を提案し、その実現可能性を調べる。 電子情報通信学会 1996-03-11 jpn journal article VoR https://hiroshima-cu.repo.nii.ac.jp/records/1194 110003245388 http://ci.nii.ac.jp/naid/110003245388 CiNii Research AN10471452 電子情報通信学会総合大会講演論文集 1996年.エレクトロニクス 2 134 https://hiroshima-cu.repo.nii.ac.jp/record/1194/files/110003245388.pdf application/pdf 92.8 kB 2023-02-28